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提高氣隙擊穿電壓的措施

來源:技術文章    更新時間:2013-09-26    瀏覽:10042次

提高氣隙擊穿電壓一般有兩種途徑:改善電場分布,使之均勻化;設法削弱或抑制氣體介質中的電離過程。

改善電場分布的措施
(1)改變電極形狀
增大電極曲率半徑:如采用屏蔽罩、擴徑導線等增大電極曲率半徑以減小zui大場強;
改善電極邊緣形狀:電極邊緣做成弧形,或盡量使之與等位面相近,以消除邊緣效應;
使電極有*外形:電場優化

利用空間電荷對原電場的畸變作用
例如利用電暈放電產生的空間電荷來改善極不均勻場間隙中電場分布,從而提高間隙的擊穿電壓。
但應該指出,上述細線效應只存在于一定的間隙距離范圍之內,間隙距離超過一定值,細線也將產生刷狀放電,從而破壞比較均勻的電暈層,使擊穿電壓與尖-板或尖-尖間隙的相近了。另外,此種提高擊穿電壓的方法僅在持續作用電壓下才有效,在雷電沖擊電壓下并不適用。

 

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